Nach dem Sägeprozess werden die Wafer mit dem "Ceramic Beam" Verfahren schonend gereinigt. Das Reinigungsmedium wird dabei in die innenliegende Kanäle geleitet und anschließend duch Zwischenräume, die beim Sägen des Ingots im Ceramic Beam entstehen, gleichmäßig über die ganze Waferfläche zur Reinigung verteilt.

Inline-System zum Vorreinigen und Entkleben gesägter Waferblöcke

• Gleichmäßige Reinigung über die gesamte Fläche
• Zuführung des Reinigungsmediums durch "Ceramic Beam"
• Geringe Bruchrate bei Reinigung der Waferblöcke durch revolutionäre Reinigungsmethode
• Reinigungskapazität 4 Waferblöcke pro Stunde
• Reinigungsprozess zur Entfernung von restlichen Metallionen
• Geeignet für 500 mm Platte (Beam) und für 1000 mm Platte (Beam)
• Geeignet für dünnste Mono- und Multiwafer
• Geringer Wasserverbrauch
• Verbesserte Cost of Ownership