In der PECVD-Beschichtungsanlage (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) erhält der Wafer eine aus Siliziumnitrid bestehende Antireflexionsbeschichtung. Bei diesem Verfahren wird ein Direktplasmareaktor eingesetzt, der dem Remoteplasmareaktor gegenüber eine deutlich verbesserte Zelleffizienz aufzuweisen hat. Die PECVD-Anlage basiert auf der Anlagentechnik des japanischen Herstellers Shimadzu.

PECVD System zur Siliziumnitrid-Antireflexionsbeschichtung

• Exzellente Oberflächenpassivierung durch Hochtemperaturprozess und Direktplasma
• Extrem gute Schichtverteilungen
• Stabiler und reproduzierbarer Prozess
• Schonendes Waferhandling mit Bernoulli-Greifersystem
• Kompaktes Maschinendesign mit geringer Stellfläche
• Durchsatz bis zu 1.147 Wafer pro Stunde