Inline-System zur Erzeugung selektiver Emitter mit Hilfe von Inkjet-Technologien

Bei diesem kombinierten Druck- und Ätzverfahren wird die hohe Phosphor-Dotierung auf der Zelle selektiv geätzt und nur dort erhalten, wo anschließend Kontakte aufgedruckt werden. Dafür wird eine Wachsmaske im Inkjet-Verfahren aufgetragen.

Alle weiteren Ätzprozesse und Wachs-Strippprozesse übernimmt die nasschemische Anlage, die für ein bestmögliches Kosten-Nutzen-Verhältnis zusätzlich mit Modulen zur Kantenisolation und zum PSG-Ätzen ausgestattet werden kann.

• Selective-Emitter-Design führt zu drastischer Reduzierung
  der elektrischen Verluste auf der Frontseite
• Zellwirkungsgrad steigt um bis zu 0,8 %
• Deutliche Yieldsteigerung durch Wirkungsgradgewinn möglich
• Einfache Inline-Verknüpfung von Inkjet-Druck mit Folgeprozessen wie Kantenisolierung und Phosphorglasätzen
• Prozesscluster mit einem Durchsatz von 2.200, 4.400 oder 6.600 Wafer/h verfügbar
• Exzellente Prozessstabilität in der Massenproduktion
• Einfaches Upgrade bestehender Zelllinien
• Amortisationszeit von 6-8 Monaten